Φίλε Σπύρο,
ΚΑΛΗ & ΔΗΜΙΟΥΡΓΙΚΗ ΧΡΟΝΙΑ εύχομαι γεμάτη ΥΓΕΙΑ γι΄ ΟΛΟΥΣ.
Τα MOSFET : IRFZ34A που έφερε ο τελικός ενισχυτής έχουν BVDSS(τάση μεταξύ Drain - Source) 60V,
κατά 5V υψηλότερη ανοχή αυτής των IRFZ34N που έβαλες, αντίσταση RDS(on) 0,04Ω όμοια και στα δύο MOSFET και
το ρεύμα ID στο μεν IRFZ34A είναι 30A ενώ σ΄ αυτό που έβαλες (IRFZ34N) είναι 26A, δηλαδή πολύ πιθανή αιτία για
να ζεσταίνονται τα MOSFET΄s που τοποθέτησες (διέρχεται απ΄ αυτά υψηλότερη τάση κι υψηλότερο ρεύμα των προδιαγραφών τους).
Ελπίζω ότι χρησιμοποίησες σιλικόνη στη πλάτη των MOSFET΄s όταν τα βίδωσες πάνω στις ψήκτρες για καλλίτερη αποβολή θερμοκρασίας.
Όταν όμως γράφεις ότι έκανες «σκάντζα» τ΄ άλλα υπάρχοντα MOSFET΄s στο μηχ/μα (IRFZ34A) στη θέση των νέων και
παρουσιάζεται τ΄ ίδιο πρόβλημα θα σου ΄λεγα να κάνεις ένα έλεγχο και ν΄ αντικαταστήσεις (έστω και χωρίς έλεγχο),
όλες τις διόδους / zener που βρίσκονται στις γραμμές των MOSFET΄s αυτών.
Είναι πιθανόν να παρουσιάζουν κατά τη λειτουργία του τελικού ενισχυτή διαρροή ως προς γη.
Βέβαια εξ ίσου σημαντικό είναι να τοποθετήσεις στη θέση των καμμένων IRFZ34A τα ταυτόσημα ΑΥΘΕΝΤΙΚΑ της SAMSUNG.
Φιλικά.
Δημήτρης Καρούσης